2022-07-26 10:54:31 来源 : 站长之家
7月25日消息:据韩联社报道,三星电子今天在京畿道华城厂区内的极紫外光刻(EUV)专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极(简称GAA)技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。
据介绍,三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群(HPC),并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片(SoC)等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后,在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。
三星电子的3nm 制程工艺是在6月30日开始量产的,他们的这一制程工艺,在业内率先采用全环绕栅极晶体管架构,量产和发货时间,都早于他们的竞争对手台积电。三星电子3nm工艺的首批芯片,是为国内的一家无晶圆厂商代工的,不过在最新的报道中,他们并未提及具体的厂商名称。