2022-05-16 14:29:54 来源 : 中关村在线
美光公司周四宣布了业界首个具有232层的3D NAND存储器设备。该公司计划将其新的232层3D NAND产品用于各种产品，包括固态驱动器，并计划有时在2022年底开始加大此类芯片的生产。
美光的232层3D NAND设备采用3D TLC架构，原始容量为1Tb（128GB）。该芯片基于美光的CMOS下阵列（CuA）架构，并使用NAND字符串堆叠技术，在彼此的顶部建立两个3D NAND阵列。
CuA设计加上232层NAND，将大大减少美光1Tb 3D TLC NAND存储器的芯片尺寸，这有望降低生产成本，使美光能够对采用这些芯片的设备进行更积极的定价，或者只是提高其利润率。
美光没有宣布其新的232L 3D TLC NAND IC的I/O速度或平面数量，但暗示与现有的3D NAND设备相比，新的内存将提供更高的性能，这对采用PCIe 5.0接口的下一代SSD特别有用。
谈到固态硬盘，美光的技术和产品执行副总裁Scott DeBoer指出，该公司已经与内部和第三方NAND控制器（用于固态硬盘和其他基于NAND的存储设备）的开发者密切合作，以实现对新型内存的适当支持（并确保这些即将推出的驱动器最终进入我们的最佳固态硬盘列表）。
"DeBoer说："我们围绕制造世界上最快的管理型NAND以及数据中心和客户SSD产品所需要的东西，优化了[232层3D NAND]技术。"控制器的组合，包括内部和外部的控制器，一直是我们垂直产品整合重点的一个强有力的元素，以确保我们对NAND和控制器技术进行了优化，以满足我们提供未来领导产品的需要"。
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